Расчет транзистора проводится для случая Uвх=170В и Uвых=28В. Для выбранной нами схемы импульсного регултора напряжение коллектор-эмиттер силового транзистора равно входному напряжению Uкэ =Uвх=170В.
1. Максимальное значение тока коллектора.
,
тогда максимальный ток протекающий через коллектор транзистора будет равен:
2. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер силового транзистора равно входному напряжению Uкэ max =Uвх max=175 В.
3. Выбор схемы силового ключа.
По определенным параметрам транзистора были рассмотрены следующие варианты схем силового ключа на транзисторах:
- Биполярный транзистор с управляющим МДП-транзистором /35/,/36/. Такие транзисторы имеют на входе полевой транзистор с малыми токами управления, который в свою очередь управляет более мощным биполярным транзистором (Рис. 25). Управляющий МДП-транзистор обеспечивает заметное сокращение времени рассасывания за счет хороших импульсных свойств. Были рассмотрены отечественные и зарубежные составные транзисторы /34/,/40/. За рубежом выпускаются так называемые IGBT-транзисторы(биполярные транзисторы с полевым управлением).В Приложении Г приведены некоторые характеристики этих транзисторов.
Рис. 25 Биполярный транзистор с полевым управлением.
Эта схема несмотря на большие мощности рассеивания (более 160 Вт), относительно большую стоимость может быть использована наравне со схемой, которая была принята за основную в дипломном проекте.
- Параллельное включение биполярных транзисторов (Рис. 26).
Эта схема включения обеспечивает небольшие токи управления и достаточно небольшие мощности рассеивания. При выборе в качестве элементной базы был использован транзистор типа КТ890А/44/, Технические характеристики транзистора КТ890А приведены в Приложении Г.
Средний ток коллектора одного транзистора равен Iк=10 А, при трех параллельно соединенных транзисторах суммарный ток через коллектор примерно равен IкS=30 А. Ток базы необходимый для насыщения транзистора при Iк=10 А не превышает IБ=150 мА, что для трех транзисторов равно IБS=150·3=450 мА. Постоянное напряжение транзистора Uкэ =350>175 В. В цепь базы включены резисторы по 50 Ом для уравновешивания токов базы, кроме того, для предотвращения лавинного пробоя транзистора в цепь эмиттеров тоже необходимо включить резисторы.
Рис. 26 Параллельное включение биполярных транзисторов.
Мощность рассеиваемая на одном транзисторе равна:
Примем значение коэффициента насыщения Кнас равным 1.3, и определимся с остальными параметрами, считая что при входном напряжении Uкэmax=Uвхmax=175 В gmax=gmax2=0.18,Iнmax=10 A,Uкэнас=2 В,fп=20 кГц, Iкmax=11 A, tвкл=tвыкл=
, UБэнас=2.5 В, h21эmin=8. В результате расчета получили. Pк» 27.4 Вт - мощность рассеиваемая на одном транзисторе.
Тогда мощность рассеиваемая на трех транзисторах PкS=3·Pк=82.2 Вт.
Для транзисторов с такой мощностью рассеивания необходим радиатор.
Содержание операций
Операция 03 наплавочная. Заплавить шлицевые канавки шлицевого конца с перекрытием на наружную поверхность под слоем флюса. Таблица 3.1 − Описание Операции 03 наплавочная № перехода Содержание перехода 1 2 3 4 Установить вал первичный в центра переоборудованного токарно-винторезного станка Зап ...
Назначение и классификация подъемников
Подъемники служат для полного или частичного подъема автомобиля над уровнем пола или над канавой на требуемую для удобства обслуживания или ремонта высоту. В настоящее время они находят все больше применение как в АТП, так и на СТОА. К сожалению, наша промышленность не может пока что удовлетворить ...
Оградительные сооружения
Внешние оградительные сооружения создаются с целью защиты акватории порта от волнения, заносимости, течений и льда. Они должны обеспечить безопасность захода, выхода и стоянки судна в акватории или у причала при ветре и волнениях; обеспечить свободное маневрирование судов на акватории; учитывать во ...
